国电南瑞：近期公司具有自主知识产权的3300V/1500AIGBT器件已

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问:贵公司最近几天称，自主研发的IGBT是依托国内半导体龙头企业生产的请问，这家国内半导体龙头企业是哪家公司

国电南瑞11月23日在投资者互动平台表示，IGBT业务是公司重点培育的战略新兴产业之一，目前处于建设投入期，正开展相关产品研发，封装测试生产线建设等工作近期，公司具有自主知识产权的3300V/1500A IGBT器件已在厦门柔直换流站挂网使用

IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，是由BJT和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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