外媒称三星3nm工艺良品率仍远不及预期仅10%-20%对他们的3nm制程

，据国外媒体报道，在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题，可能影响到AMD，英伟达等部分客户的产品路线图之后，又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。

韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%—20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。。

三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺，并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商，与台积电继续采用鳍式场效应晶体管架构不同，三星电子3nm工艺采用的是全环绕栅极晶体管技术。就工厂的投资而言，台积电计划建设的2nm工艺芯片工厂，远高于目前5nm工艺的芯片代工厂。台积电去年5月15日宣布在美国亚利桑那州建设的5nm工艺工厂，计划的投资是120亿美元。

在全球晶圆代工市场份额连续多年远不及台积电的三星电子，对他们的3nm制程工艺寄予厚望在去年6月份就曾有报道称，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步，计划在今年6月份开始量产

不过，三星电子3nm工艺的良品率远不及预期，还只是外媒的报道，并不是三星方面公布的消息但如果三星电子3nm工艺的良品率，真如外媒报道的那样远低于目标，可能也会影响到最终的交付量，进而影响相关厂商的产品路线图

值得注意的是，在今年2月份曾有报道称，三星重要客户高通明年将推出的3nm工艺应用处理器，将交由台积电代工，同时由于4nm工艺的良品率低，高通也已将部分骁龙8 Gen 1交由台积电代工，不再由三星电子独家代工。2nm工艺工厂的投资若达到360亿美元，就将是亚利桑那州工厂投资的3倍。

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