东芯半导体19nmNANDFlash闪存已流片正进行产品调试

说到国产NAND闪存，大家首先想到的肯定是长江存储，但是这个行业还是有很多公司在努力的。

日前，东信半导体在回应投资者提问时透露，其19nm先进工艺的NAND Flash闪存产品已经完成了芯片的第一轮轮换，目前正在进行产品调试。

东信表示，公司正在不断研究工艺更新，从38nm，24nm到正在开发的19nm工艺，通过工艺更新为客户带来更高性价比，更高产能的产品。

对于是否会进军3D NAND闪存，东信回应称，目前专注于中小容量通用存储芯片的R&D，设计和销售，暂时不涉及3D NAND业务。

此外，车辆仪表存储器产品对各项指标要求较高，因此认证和进口需要较长时间目前，相关产品正在积极开发和进口

公开资料显示，东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳，南京，香港，韩国设有分公司或子公司它致力于成为领先的存储芯片设计公司，服务于世界各地的客户

作为无晶圆厂芯片企业，东芯半导体拥有自主知识产权，专注于中小尺寸n and，NOR和DRAM芯片的设计，生产和销售它是目前中国为数不多的能够同时提供NAND，NOR和DRAM设计工艺和产品解决方案的存储芯片R&D和设计公司

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