氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展

记者12日从中国科大获悉，中国科大国家示范微电子学院龙仕兵教授的两篇氧化镓器件研究论文在美国三藩市举行的第68届国际电子器件大会上被接受。

IEEE DM是关于微电子和纳米电子学的年度学术会议它是报告半导体和电子设备技术，设计，制造，物理和建模领域关键技术突破的世界顶级论坛IEEE DM与ISSCC和VLSI一起被称为集成电路和半导体领域的奥林匹克盛会

如何开发有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极的边缘电场，是氧化镓肖特基二极管的研究热点由于氧化镓的p型掺杂目前还没有解决，与PN结相关的边缘终端结构一直是难点在氧化镓异质结前期研究的基础上，龙冰研究组成功地将异质结终端扩展结构应用于氧化镓肖特基二极管本研究通过合理的设计优化了JTE区的电荷浓度，保证了在最大程度削弱肖特基边缘电场的同时，二极管的正向特性不受影响，从而有效提高了器件的耐压优化后的器件实现了2.9mω·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52 GW/cm 2此外，利用该优化工艺成功制作并封装了大面积氧化镓肖特基二极管

光电探测器在目标跟踪，环境监测，光通信，深空探测等领域发挥着越来越重要的作用响应度和响应速度是光电探测器的两个关键性能参数但是，这两个指标之间是一种制约关系，两者之间是有取舍的龙冰团队引入了额外的辅助光源来实现相反的光栅控制方案，以缓解上述限制

本文提出了光电探测器芯片中数千万像素共用一个辅助LED的策略，缓解了响应性和响应速度之间的制约，对提高光电探测器芯片的综合性能具有重要的参考意义。

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